姓名：汤戈
邮箱：tangge@cdut.edu.cn
单位：成都理工大学核技术与自动化工程学院
学位：工学博士
职称：副教授/硕士生导师
职务：核仪器与测控工程系 副主任
研究领域：半导体材料及器件辐照损伤及失效分析
汤戈，男，1992年生，副教授。2020年博士毕业于重庆大学，光学工程专业。近5年在《Applied Physics Letters》、《Journal of Physics D: Applied Physics》、《Journal of Materials Chemistry C》、《IEEE Transactions on Nuclear Science》、《Applied Physics Express》等期刊上发表论文20余篇，主持国家自然科学基金1项，省部级科研项目2项，校级教改项目1项，荣获中国工程物理研究院电子工程研究所，2016年度科学技术奖一等奖，以及中国辐射防护学会，2022年度科学技术奖（科技进步奖）一等奖。
主持或主研科研项目
1. 四川省科技创新创业苗子工程重点项目, 24MZGC0153, 辐射环境下忆阻器瞬态电离效应激光模拟技术研究, 主持.
2. 国家自然科学基金青年基金, 12205028, 核辐射环境下硅双极型晶体管瞬态协同损伤机制研究, 主持.
3. 四川省自然科学基金青年基金, 2022NSFSC1235, 硅基器件瞬态协同损伤的激光模拟技术研究, 主持.（已结题）
4. 成都理工大学2022年中青年骨干教师资助计划, 10912-JXGG2022-08363, 主持.
5. *****研究所, 横向项目（经费500余万）, 瞬时剂量率激光模拟实验平台, 主研（排名第二，已结题）.
6. 军委科学技术委员会, 创新特区主题项目, 21Y****ZT002***06, **器件****的原子尺度效应, 主研（排名第二，已结题）.
7. 军委科学技术委员会, 创新特区主题项目, ***-cxcy-****-02-01-10, 辐照****效应与****抗辐照研究, 主研（排名第三，已结题）.
代表性论著
1. Tang, Ge; Zhang, Fuwang; Xiao, Yao; Zhu, Siji; Liu, Jingrui; Li, Mo. Transient synergistic damage mechanism and characterization of silicon bipolar junction transistor, Journal of Physics D: Applied Physics, 2024, 57: 355109.
2. Tang, Ge; Xiao, Yao; Sun, Peng; Liu, Jingrui; Zhang, Fuwang; Li, Mo. Laser-assisted Simulation of Dose Rate Effects of Wide Band Gap Semiconductor Devices, Atomic Energy Science and Technology, 2023, 57(12): 2314-2325.
3. Zhang, Yanming#; Tang, Ge#; Feng, Peng; Kang, Kaijin; Tang, Xiaosheng; Li, Mo; Hu, Wei. Neutron Radiation-Resistant Aluminum Nitride Memristor, Applied Physics Letters, 2022, 121:163502.（# 共同一作）
4. Tang, Ge; Sun, Peng; Kang, Jianbin; Wang, Lei; Li, Mo; Laser-Assisted Simulation of Dose-Rate Effects of Neutron-Irradiated NPN Transistors，IEEE Transactions on Nuclear Science, 2022, 69(5):1167-1175.
5. Tang, Ge; Li, Mo; Sun, Peng; Wang, Lei; Peng, Kexin; Zhang, Jian; Feng, Peng; Wei, Biao ; A Charge Collection Equivalent Method for Laser Simulation of Dose Rate Effects With Improved Performance, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2021, 68(6): 1235-1243.
6. Tang, Ge; Pam, Mei Er; Zhang, Hui; Shu, Zhiwen; Feng, Peng; Wei, Biao; Ang, LayKee; Yang, Hui Ying; Li, Mo; Fast-neutron irradiation effects on monolayer MoS2, Applied Physics Express, 2019, 12(5): 056001.
7. Tang, Ge; Li, Mo; Sun, Peng; Huang, Feng; Wang, Xiaofeng; Wei, Biao; Surface Metallization Influence on Equivalence of Laser Simulation of Dose-Rate Effects, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018, 65(12): 2852-2861.
8. Tang, Ge; Wei, Biao; Wu, Decao; Feng, Peng; Liu, Juan; Tang, Yuan; Xiong Shuangfei; Zhang, Zheng; The Optimal Wavelengths for Light Absorption Spectroscopy Measurements Based on Genetic Algorithm–Particle Swarm Optimization, Journal of Applied Spectroscopy, 2018, 85(1): 109-118.
9. Lu, Wei; Wang, Lei; Yuan, Yong; Zhang, Ting; Tang, Ge; Liu, Mingzhe; Tuo, Xianguo; Ning, Jing. Monte Carlo simulation for performance evaluation of detector model with a monolithic LaBr3(Ce) crystal and SiPM array for γ radiation imaging, Nuclear Science and Techniques, 2022, 33, 107.
10. Fu, Xiang; Kang, Jianbin; Tang, Ge; Chen, Feiliang; Li, Qian; Li, Mo; Wei, Biao; Fast neutron irradiation effects on AlGaN deep ultraviolet light emitting diodes, Results in Physics, 2021, 27: 104532.
11. Zhang, Hui; Lan, Mu; Tang, Ge; Chen, Feiliang; Shu, Zhiwen; Chen, Fengxiang; Li, Mo; Discrete color centers in two-dimensional hexagonal boron nitride induced by fast neutron irradiation, Journal of Materials Chemistry C, 2019, 7(39): 12211-12216.
授权发明专利
1. 一种面向混合辐射场景的激光模拟系统. 2022，发明专利，ZL202210707926.9. （第一发明人）
2. 半导体器件的激光模拟剂量率效应等效系数计算方法. 2021，发明专利，ZL202110244054.2. （第二发明人）
获奖情况
1. 半导体器件剂量率与单粒子效应激光模拟试验关键技术，中国辐射防护学会，2022年度科学技术奖（科技进步奖）一等奖.
2. 激光模拟半导体器件剂量率效应的物理模型与实验系统研究，中国工程物理研究院电子工程研究所，2016年度科学技术奖 一等奖.
